南大光电ArF光刻胶通过产品验证 能否释放经济效益尚未明确

华夏时报（www.chinatimes.net.cn）记者 王颖 徐超 无锡报道

随着中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂进入产能扩张期，高端光刻胶的国产替代迎来重要窗口。

12月17日晚间，南大光电（300346）发布公告称，其控股子公司“宁波南大光电”自主研发的ArF（193nm）光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证，可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。

受此利好，南大光电12月18日高开，盘中一度大涨14.30%，当日收盘报价35.95元/股，涨幅为8.22%。

不过，南大光电在公告中也提示，ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善。而公司关于光刻胶生产线的建设进程如何、何时能实现量产，释放经济效益，12月18日上午，《华夏时报》记者就相关问题致电南大光电，其证券部人士要求记者以书面形式向其发送采访提纲。本报记者随即致函前述人士提供的邮箱，但截至发稿未有回复。

推进ArF光刻胶产品国产化进程

光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料，由于其技术门槛较高,高端光刻胶长期由日本JSR、TOK等垄断。

光刻胶发展至今，分别经历了G/I线光刻胶(非化学放大)、KrF光刻胶(化学放大)、ArF光刻胶(化学放大)、ArFi光刻胶(化学放大)、EUV光刻胶等品类。其中，最先进的是EUV光刻胶，其次便是ArF光刻胶。本次南大光电验证通过的ArF光刻胶，线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求，孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求。

根据公告，“本次产品的认证通过，标志着‘ArF光刻胶产品开发和产业化’项目取得关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶，为全面完成项目目标奠定坚实的基础。”

“ArF 光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02 专项”的一个重点攻关项目，他们的认证评估报告显示，“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标”。

南大光电2018年12月22日曾公告称，由其作为牵头单位承担的国家“02专项”ArF光刻胶产品的开发与产业化项目，拟通过3年的建设、投产及实现销售，达到年产25吨193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模，产品满足集成电路行业需求标准。同时建成先进光刻胶分析测试中心和高分辨率光刻胶研发中心。

根据上述公告，该项目预计达产后年销售收入平均为1.48亿元，实现净利润0.6亿元，投资回收期6.8年（包含3年建设期），内部报酬率为18%。

需要注意的是，截至今年上半年，光刻胶业务尚未给南大光电贡献营收。南大光电在产品通过客户认证的公告中也表示，ArF光刻胶产品与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。

能否释放经济效益存不确定性

南大光电2012下半年登陆创业板，2011年公司扣非净利润就达到1.76亿元。参考近三年的数据，2017年-2019年，南大光电的扣非净利润分别为0.2亿元、0.37亿元、0.368亿元，仅上市前的五分之一。期内，虽然南大光电的营收整体呈增长态势，从1.77亿元增至3.21亿元，但净利润增速却从348%降至7.36%。

今年前三季度，南大光电营收同比增长96.15%，归母净利润同比增长97%，主要是出售北京科华股权等带来的非经常性损益大幅增加，扣除非经常性损益后公司净利润同比下滑84.84%。

南大光电2020年半年报显示，截至今年上半年，公司营收来源主要为MO源产品和特气产品，ArF光刻胶业务尚未给公司贡献收入。

千门资产投研总监宣继游告诉《华夏时报》记者：“从能够量产到规模化量产需要一个爬坡的过程，这之间主要是客户订单的爬坡和新的产能布局调试的时间。光刻胶产品如果要实现大规模的量产，本质上是需要大量的订单支撑的，所以最终对于上市公司产生的效益也应该是逐步放量的。”

这与南大光电今年5月在深交所互动易平台上对投资者提问的回复不谋而合，“目前研制的ArF光刻胶样品正在供客户测试。光刻胶产品验证周期较长，通常需12-18个月，甚至更长的时间。即使验证通过后，客户也会谨慎地使用国产光刻胶产品，逐步放量。”

“从行业经验来看，通过客户使用认证即表示产品达到商用化标准，但不代表能量产。”深圳中金华创基金董事长龚涛接受《华夏时报》记者采访时表示，“从目前产能的建设速度来看，大规模商业化是要生产线建设周期的，南大光电2018年公告拟3年建成年产25吨193nm（ArF干式和浸没式）光刻胶生产线，即真正的量产需要三年左右。而企业实现规模化量产后能否立刻释放经济效益，要考虑技术层次是否能够满足量产时商业用户的需求，量产即淘汰的产品是无法获得经济效益的。”

“而从目前国内第一条能够量产的南大光电的193nmArF光刻胶生产线的技术来看，只能满足50nm闪存产品的需求，此类技术水准相当于2004年国际水平，而且这条生产线只少要在2021年才能达产，达产即落后世界十余年。当然对比目前我国光刻胶技术落后世界40年的水平有了巨大的提升，但该量产是否真有经济效益还未能明确。”龚涛表示。

责任编辑：徐芸茜 主编：公培佳

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