AI浪潮下三星回暖：Q2营业利润增长近15倍，大模型推动存储芯片市场走高

作者：卢晓

来源：华夏时报

发布时间：2024-08-01 16:11:55

摘要：在去年同期低谷的映衬下，三星电子今年Q2交出了一份大涨成绩单。

华夏时报（www.chinatimes.net.cn）记者卢晓北京报道

在去年同期低谷的映衬下，三星电子今年Q2交出了一份大涨成绩单。

7月31日，三星电子发布的Q2财报显示，当期它74.07万亿韩元（约合3888亿元人民币）的收入同比上涨23.4%，环比上涨近3%，10.44万亿韩元（约合548亿元人民币）的营业利润同比上涨14.58倍，环比上涨14.3%，这也是三星电子自2022年Q3以来，单季营业利润首次超过10万亿韩元。

这份亮眼成绩单的最大功臣是三星电子的存储芯片业务。事实上，因需求疲软而持续低迷的存储芯片市场，自去年下半年逐步回暖，这其中除了芯片巨头们的联合控产，更多的功劳来自生成式AI驱动的火热新需求。

存储芯片立功

刚过去的Q2，三星电子四大业务板块中，只有包括存储芯片、sys.LSI以及芯片代工业务的设备解决方案（DS）部门，收入增速跑赢公司大盘。

当期，DS部门28.56万亿韩元收入不足三星电子总收入的四成，但同比上涨94%，环比上涨23%，其中占DS部门收入近八成的存储芯片业务，同比上涨142%，环比上涨24%。

DS部门还是三星电子的最大盈利来源。

今年Q2，DS部门营业利润为6.45万亿韩元，这个数字超过三星电子整体的六成。作为对比，去年同期它营业亏损4.36万亿韩元，而在今年Q1，连续5个季度亏损后，DS部门终于扭亏为盈，实现1.91万亿韩元的营业利润。

对于存储芯片业务在Q2大幅增长的原因，三星电子在财报中称，HBM（高带宽内存）、DDR5以及其他用于AI的高价值产品，合力推高了存储市场价格，也让存储芯片业务收入相较前一季度大幅增加。其中，在应用最广的DRAM（动态存储器）领域，三星电子还提及，通过量产基于10纳米（1b）制程的32Gb DDR5技术的128G产品，自己提升了在DDR5市场的领导力。

有业内人士告诉《华夏时报》记者，DDR5是一种计算机内存规格，主要用于需要高性能计算的PC、服务器等场景。据记者了解，三星电子在去年5月宣布第五代1b制程的16Gb DDR5存储芯片量产，当年9月又宣布同样规格的32Gb DDR5内存芯片开发成功。

需要提及的是，不止三星电子，存储三巨头另外两家的最新财报也都大幅大涨。

其中，SK海力士近日发布了2024财年第二季度财报，当期它16.4万亿韩元的收入同比上涨125%，营业利润也自2018年以来重回5万亿韩元水平。美光在截至今年5月末的2024财年Q3财季中取得68.1亿美元营收，同比增长81.6%，营业利润为9.41亿美元，上年同期则为亏损14.7亿美元。

AI激发新需求

就在一年半之前，存储芯片市场还处于低迷之中。据记者了解，自2020年下半年的“芯片荒”让芯片厂商开足马力生产的同时，也造成了大量库存积压。TrendForce集邦咨询的统计数据显示，2022年最后两个季度，DRAM均价下跌都超过了30%，NAND（闪存）均价跌幅也都在30%上下。

存储巨头近期业绩集体大涨源于，自2022年下半年持续低迷的存储芯片价格逐渐回暖。一个例子是，同样来自TrendForce的统计数据显示，虽然一季度是销售淡季，但由于内存合约价继续上行，带动今年一季度DRAM产业营收规模达183.47亿美元，环比增加5.1%，并预计二季度DRAM合约价将上涨13%—18%。

存储市场价格上涨离不开巨头们的出手控产。

闪存成为它们削减的重点。公开资料显示，三星和SK海力士都曾宣布过要在2023年下半年继续削减NAND Flash的产能，美光也在2023财年Q3财报会上表示，NAND Flash的晶圆投片数量由之前的减产25%扩大到减产30%，而日本的铠侠则自2022年Q4就开始将NAND Flash的产能减产30%。

深度科技研究院院长张孝荣对《华夏时报》记者表示，存储芯片价格大幅上涨，是多个因素综合作用的结果，在产能方面，控产措施起了很大作用，“另外，智能手机、PC 市场在复苏，AI 服务器的需求快速增长，这些也都给存储芯片市场带来了新的需求。”他预计，今年存储市场规模可能会比去年提升三成以上。

生成式AI特别是大模型的火热正在激发了存储市场更多新需求。

三星电子在7月31日的财报会上透露，今年Q2，处于DRAM领域中的HBM销售额环比增长50%以上，8层HBM3E产品将在第三季度开始量产，最新的12层HBM3E产品也将在下半年上市。有市场消息称，英伟达将是这些产品的潜在客户。

上述业内人士告诉记者，AI大模型的参数规模越大，算力负担就越重，这让具有高带宽、大容量、低延迟等特点的HBM成为AI行业的主流存储方案，但目前这一产品的产能缺口依然很大。

SK海力士CEO此前已经宣布其2024年和2025年的HBM产能均已售罄。三星电子也在最新的Q2财报中称，随着产能集中在HBM、服务器DRAM和服务器SSD（固态硬盘）上，预计用于PC和移动设备的尖端芯片常规出货将受到影响。

TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷对《华夏时报》记者表示，内存芯片市场回暖源于需求端有所改善，“尽管消费需求的回升并不明显，但AI和服务器领域的需求均有显著回温。”她预计，今年下半年DRAM价格因HBM渗透率持续上升而走高，而NAND价格可能会出现短暂的小幅下跌。“生成式AI的推动作用很大，尤其是DRAM因HBM的贡献更加明显。NAND部分则由于企业级SSD需求的增加，带动了整体消耗量的提升。”

责任编辑：黄兴利主编：寒丰