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六大行合计出资1140亿元,集体参股国家大基金三期|快讯

作者:刘佳

来源:华夏时报

发布时间:2024-05-27 21:15:55

摘要:国有六大行全部出手,成为国家大基金三期的新增主力。六大行合计出资1140亿元,出资占比达33.14%。

六大行合计出资1140亿元,集体参股国家大基金三期|快讯

文/刘佳

芯片领域“国家队”重磅亮相。

5月27日,中国银行在港交所公告称,拟向国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司(下称:国家大基金三期)出资人民币215亿元,持股比例6.25%,预计自基金注册成立之日起10年内实缴到位。

同日,建设银行在港交所公告称,拟向国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司出资人民币215亿元,持股比例6.25%,预计自基金注册成立之日起10年内实缴到位。

除了上述两家银行外,其他银行也陆续发布公告表示出资。其中,工商银行、农业银行也均出资215亿元,交通银行则出资200亿元,邮储银行出资80亿元。至此,国有六大行全部出手,成为国家大基金三期的新增主力。六大行合计出资1140亿元,出资占比达33.14%。

股东信息显示,国家大基金三期除六大行外,还包括财政部、国开金融有限责任公司、上海国盛(集团)有限公司等19位股东共同持股。

据工商信息显示,国家大基金三期已于2024年5月24日正式注册成立,法定代表人为张新,注册资本3440亿元人民币,经营范围为私募股权投资基金管理、创业投资基金管理服务,以私募基金从事股权投资、投资管理、资产管理等活动,企业管理咨询。

目前,国家大基金三期规模也远超前两期基金。前两期分别成立于2014年9月26日和2019年10月22日,注册资本分别为987.2亿元和2041.5亿元。

华鑫证券研报指出,国家大基金的前两期主要投资方向集中在设备和材料领域,为中国芯片产业的初期发展奠定了坚实基础。随着数字经济和AI 的蓬勃发展,算力芯片和存储芯片将成为产业链上的关键节点。国家大基金一直以来对产业趋势深刻把握,并具备推动产业升级、提升国家竞争力的决心。因此此次大基金三期,除了延续对半导体设备和材料的支持外,更有可能将HBM等高附加值DRAM存储芯片列为重点投资对象。


编辑:孟俊莲

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